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ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

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ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

我司ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe键合晶体,是在Cr:ZnSe两端键合纯ZnSe形成的键合晶体,可以有效的改善Cr:ZnSe激光的综合性能。

Cr:ZnSe的热传导系数为14W/cm/°K@ 20°C,ZnSe晶体的热导率为18W/m/K,两端键合形成ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe键合晶体,可以有效改善Cr:ZnSe晶体的热效应,降低激光泵浦时形成的热透镜效应,改善激光的光束质量,并能提升激光器的输出能力稳定性,提升激光器的使用寿命。可调性广泛(从2.1-3.1μm发射),增大增益截面(σ发射〜9 × 10-19 cm2)以及激发态吸收的最小问题(不允许上能级激发态的自旋跃迁)等优点。

南京光宝使用表面活化键合技术,是一种低温或者常温下的键合技术,典型特征是表面清洗和表面活化。在键合前,通过快原子或者离子束对键合表面的轰击,可以有效的增加键合强度,实现对无机材料、金属、半导体材料间的高质量键合。与高温热键合方法相比,表面活化键合技术键合结合力界面较高、光吸收损耗和面形变化控制相对而言更优,而热扩散键合表面的杂质去不掉,被键合在结合面。表面活化键合技术有去除各种抛光的残留成分、去除有机污染物、去除表面氧化层和打断材料化学键,提升活化能等优点。

生产的ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe键合晶体的键合强度高、键合面吸收损耗小(一般小于20ppm)、键合面面形变化小(键合后面形<lamda/8)。键合晶体的形状可以是棒状、板状、波导或者三明治形状。在键合晶体两端可以提供多种类型的镀膜,如两个端面增透膜AR@2300~2500nm等。ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe键合晶体广泛的应用于光通信、污染气体检测、工业燃烧产物测试等领域。

参数

ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe
MaterialsZnSeCr:ZnSeZnSe
concentrations/(1~9)*1018/cm3/
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@2300~2500nm/AR@2300~2500nm
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