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YVO4+Nd:YVO4+YVO4

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YVO<sub>4</sub>+Nd:YVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>” class=”wp-image-5115″/></div><div class=

我司YVO4+Nd:YVO4+YVO4键合晶体,是在Nd:YVO4两端键合纯YVO4形成的键合晶体,可以有效的改善Nd:YVO4激光的综合性能。

Nd:YVO4的热导率为11.7W/cm/°K@ 25°C,纯YVO4晶体的热导率为 //C: 5.23 W/m/K ;⊥C: 5.10 W/m/K,两端键合形成YVO4+Nd:YVO4+YVO4键合晶体,可以有效改善Nd:YVO4晶体的热效应,降低激光泵浦时形成的热透镜效应,改善激光的光束质量,提升457nm、671nm激光输出效率,并能提升激光器的输出能力稳定性,提升激光器的使用寿命。

芯飞睿使用表面活化键合技术,是一种低温或者常温下的键合技术,典型特征是表面清洗和表面活化。在键合前,通过快原子或者离子束对键合表面的轰击,可以有效的增加键合强度,实现对无机材料、金属、半导体材料间的高质量键合。与高温热键合方法相比,表面活化键合技术键合结合力界面较高、光吸收损耗和面形变化控制相对而言更优,而热扩散键合表面的杂质去不掉,被键合在结合面。表面活化键合技术有去除各种抛光的残留成分、去除有机污染物、去除表面氧化层和打断材料化学键,提升活化能等优点。

生产的YVO4+Nd:YVO4+YVO4键合晶体的键合强度高、键合面吸收损耗小(一般小于20ppm)、键合面面形变化小(键合后面形<lamda/8)。键合晶体的形状可以是棒状、板状、波导或者三明治形状。在键合晶体两端可以提供多种类型的镀膜,如两个端面增透膜AR@1064nm+808nm,或者S1:HR@1064nm&AR@808nm,S2:PR@1064nm&HR@808nm等。YVO4+Nd:YVO4+YVO4键合晶体广泛用于在机械、材料加工、波谱学、晶片检验、显示器、医学检测、激光印刷、数据存储等多个领域。

特点:

  • 有效改善Yb:YAG晶体的热效应
  • 降低激光泵浦时形成的热透镜效应
  • 改善激光的光束质量
  • 提升457nm、671nm激光输出效率
  • 能提升激光器的输出能力稳定性,提升激光器的使用寿命

YVO4+Nd:YVO4+YVO4

YVO4+Nd:YVO4+YVO4
MaterialsYVO4Nd:YVO4YVO4
concentrations/0.5%,1%, 2%,2,5%, 3%
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@1064nm+808nm/AR@1064nm+808nm
HR@1064nm&AR@808nm/PR@1064nm&HR@808nm
others/others

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