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AgGaSe2

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AgGaSe2(硒镓银晶体),简称AGSe晶体,是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族三元化合物半导体,黄铜矿结构,4-2m点群.它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料,可透过0.73~21 μm的红外光,非线性系数大(d36=43×10-12 m/V),具有适宜的双折射,对3~18 μm范围的二次谐波能实现相位匹配,是中红外激光倍频有效的晶体材料,同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。其可用波段位于0.9-16 μm。用Ho:YLF 2.05 μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12 μm OPO调谐光源;用1.4-1.55μm调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5 μm调谐光源。

特点

  • 大的传输范围:从73到18μm
  • 低光吸收和低散射
  • 高FOM(品质因数),用于NIR和MIR中的非线性相互作用
  • 对中红外激光的倍频效率高
  • 适用于固态激光器的可调OPO,效率高达10%
  • 在各相同性点附近区域的光学窄带滤波
  • 应用波长可达到中红外的17μm

物化性质

化学公式AgGaSe2
晶体结构四方晶系
晶格参数a=5.9920Å,c=10.8803Å
光学对称性负单轴(no>ne,λ<804 nm ne>no)
密度5.7g/cm3
Mohs硬度3-3.5
透明度范围0.71-19μm
Sellmeier方程@T=293 K(λ in μm)no2=6.8507+0.4297/(λ2-0.1584)-0.00125λ2;
ne2=6.6792+0.4598/(λ2-0.2122)-0.00126λ2
折射率@10.5μmno=2.5917,ne= 2.5585
导热系数@T=293 K1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1
激光损伤阈值>10MW/cm2@10.6μm,150 ns
熔点851℃
带隙1.83eV
倍频系数33pm/V
双折射0.0246@1.06μm
0.0317@5.3μm
0.0332@10.6μm

加工参数

定向精度<±0.1°
表面光洁度30/20 per MIL-O-13830A 
面型λ/8@632.8nm for T>=1mm
通光面公差+0/-0.1mm
长度公差±0.1mm
平行度30″
垂直度10′
倒边<0.2mm×45°

光谱

非线性晶体AgGaSe2相位匹配-南京光宝-CRYLINK非线性晶体AgGaSe2透过率-南京光宝-CRYLINK
Type 1 OPO和SHG相位匹配曲线18 mm长未镀膜AgGaSe2晶体的透射谱
非线性晶体AgGaSe2透过率2-南京光宝-CRYLINK
25 mm长镀膜AgGaSe2晶体的透射谱

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